BC856BWE6327BTSA1和BC856BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BWE6327BTSA1 BC856BWT1G SBC856BWT1G

描述 SOT-323 PNP 65V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SC-70-3

引脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220

额定功率(Max) 250 mW 150 mW 150 mW

耗散功率(Max) 250 mW 150 mW 150 mW

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - -65.0 V -

额定电流 - -100 mA -

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 150 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 150 220

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

增益频宽积 - - 100 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 475

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SC-70-3

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 0.9 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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