IXDI430CI和IXDN430MCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI430CI IXDN430MCI IXDD430MCI

描述 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5

上升/下降时间 18ns, 16ns 18ns, 16ns 18ns, 16ns

输出接口数 - - 1

输出电流 - - 30 A

耗散功率 - - 2000 mW

上升时间 - - 20 ns

下降时间 - - 18 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

电源电压 8.5V ~ 35V 8.5V ~ 35V 8.5V ~ 35V

电源电压(Min) - - 8.5 V

封装 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Box Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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