对比图
型号 BSM300GAL120DLC FD150R12RT4 FD200R12KE3
描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 625A 7Pin 62MMINFINEON FD150R12RT4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Screw Screw
封装 62 mm - 62MM-1
引脚数 - 5 5
耗散功率 2500 W 790 W -
工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -
额定功率 - 790 W 1040 W
针脚数 - 5 -
极性 - N-Channel -
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -
输入电容(Cies) - 9.3nF @25V -
额定功率(Max) - 790 W -
长度 106.4 mm - 106.4 mm
宽度 61.4 mm - 61.4 mm
高度 30.5 mm - 30.9 mm
封装 62 mm - 62MM-1
产品生命周期 Obsolete Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 125℃