FQD3N30TF和FQD3N30TM

对比图

型号 FQD3N30TF FQD3N30TM FQD3N30

描述 N沟道 300V 2.4ATrans MOSFET N-CH 300V 2.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

额定电压(DC) 300 V 300 V -

额定电流 2.40 A 2.40 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 2.2 Ω 2.20 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 30W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 300 V 300 V -

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 2.40 A 2.4A

上升时间 40 ns - -

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 25 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free