对比图
型号 V20120CHM3/4W V20120C-E3/4W NTST20120CTG
描述 Diode Schottky 120V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor肖特基势垒二极管，10A 至 25A，ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 SBR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 TVS二极管二极管阵列二极管阵列
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
正向电压 900mV @10A 900mV @10A 1.1 V
正向电流 - 10 A 20 A
正向电流(Max) - 20 A 20 A
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
最大反向电压（Vrrm） - - 120V
最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 120 A
正向电压(Max) - - 1.1 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.54 mm 10.28 mm
宽度 - 4.7 mm 4.82 mm
高度 - 15.32 mm 9.28 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube, Rail Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20