对比图
型号 IRFZ48NPBF IRFZ48VPBF AUIRFZ48N
描述 INFINEON IRFZ48NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 VINFINEON AUIRFZ48N 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 69 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.014 Ω 0.012 Ω 0.011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 150 W 160 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 64A 72A 69A
上升时间 78 ns 200 ns 62 ns
输入电容(Ciss) 1970pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
下降时间 50 ns 166 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130W (Tc) 150W (Tc) 160W (Tc)
额定功率 94 W 150 W -
输入电容 1970 pF 1985 pF -
漏源击穿电压 55 V 60 V -
额定功率(Max) 130 W 150 W -
通道数 1 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm 10.66 mm -
高度 8.77 mm 8.77 mm -
宽度 4.69 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17