BC848B和BC849B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848B BC849B BC847,235

描述 Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23TO-236AB NPN 45V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

耗散功率 250 mW 250 mW 0.25 W

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

频率 - - 100 MHz

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 45 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 250 mW

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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