BCP68-25,115和BCP68T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP68-25,115 BCP68T1G BAT54W

描述 NXP  BCP68-25,115  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 625 mW, 1 A, 160 hFEON SEMICONDUCTOR  BCP68T1G  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFENXP  BAT54W  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-323

频率 170 MHz 60 MHz -

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 1.00 A -

针脚数 4 4 3

极性 NPN NPN -

耗散功率 625 mW 1.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V -

集电极最大允许电流 2A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 160 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V -

额定功率(Max) 650 mW 1.5 W -

直流电流增益(hFE) 160 50 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1350 mW 1.5 W -

正向电压 - - 800 mV

反向恢复时间 - - 5 ns

正向电流 - - 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 600 mA

正向电压(Max) - - 320 mV

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm 1.35 mm

高度 - 1.65 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-323

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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