IS42S16800E-7BLI和IS42S16800F-7BL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16800E-7BLI IS42S16800F-7BL IS42S16800F-7BLI

描述 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 BGA-54

供电电流 130 mA 100 mA 100 mA

位数 - 16 16

存取时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 5.4 ns 5.4 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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