FM25640-G和FM25640B-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM25640-G FM25640B-G FM24CL64B-G

描述 NVRAM FRAM Serial-SPI 64Kbit 5V 8Pin SOICCYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25640B-G  芯片, 存储器, FRAM, 64K, SPI, 8SOICF-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

数据手册 ---

制造商 Ramtron Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

供电电流 - 4 mA 0.3 mA

时钟频率 5 MHz 20 MHz 1 MHz

耗散功率 - - 1 W

存取时间 - 10 ms 550 ns

存取时间(Max) - 20 ns 550 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.65V

频率 - 20 MHz -

针脚数 - 8 -

内存容量 8000 B 8000 B -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

电源电压(DC) 5.00 V - -

工作电压 4.5V ~ 5.5V - -

额定电流 2.70 mA - -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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