CPC5603C和CPC5603CTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CPC5603C CPC5603CTR

描述 SOT-223 N-CH 415V 0.005ACPC 系列 223-SOT 表面贴装 350 V 5 mA N-沟道 耗尽型 FET

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 SOT-223-3 TO-261-4

额定电压(DC) 415 V 415 V

额定电流 5.00 mA 5.00 mA

通道数 1 1

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2500 mW 2.5 W

漏源极电压(Vds) 415 V 415 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 mA 5.00 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta)

输入电容(Ciss) - 300pF @0V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

封装 SOT-223-3 TO-261-4

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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