SI1029X-T1-E3和SI1029X-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1029X-T1-E3 SI1029X-T1-GE3 SI1029X

描述 MOSFET N/P-CH 60V SOT563FTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6Pin SOT-563F T/RTransistor,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SC-89-6 SC-89-6 -

漏源极电阻 1.4 Ω 1.4 Ω -

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel -

耗散功率 250 mW 250 mW -

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 60.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 500 mA 305 mA -

输入电容(Ciss) 30pF @25V(Vds) 30pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

长度 1.7 mm 1.66 mm -

高度 0.5 mm 0.6 mm -

封装 SC-89-6 SC-89-6 -

宽度 - 1.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

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