7200L12TPG和IDT7200L12SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7200L12TPG IDT7200L12SO 7200L12TP

描述 先进先出 ASYNCHRONOUS 先进先出IC MEM FIFO 256X9 12NS 28-SOIC先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL FIF

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 PDIP-28 SOIC-28 DIP-28

引脚数 28 - 28

存取时间 12 ns 12 ns 12 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电路数 1 - 1

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 PDIP-28 SOIC-28 DIP-28

长度 - - 34.3 mm

宽度 - - 7.62 mm

高度 - - 3.3 mm

厚度 - - 3.30 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

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