IPI60R520CP和IPI60R520CPAKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI60R520CP IPI60R520CPAKSA1 IPI60R600CPAKSA1

描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorTO-262 N-CH 600V 6.8ATO-262 N-CH 600V 6.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 66 W 66W (Tc) 60W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 6.80 A 6.8A 6.1A

上升时间 12 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 630pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 550pF @100V(Vds)

下降时间 16 ns 16 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 66W (Tc) 60W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.52 Ω - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 600 V - -

额定功率(Max) 66 W - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 10.2 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 9.45 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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