对比图
描述 射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, PLASTIC, M135, 4Pin射频线NPN硅功率晶体管100W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 - 4 4
封装 - M135 316-01
安装方式 - - Chassis
频率 - 175 MHz -
耗散功率 - 30 W 270 W
增益 - 8.2 dB 10 dB
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 30000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - - 100 W
高度 - 19.05 mm -
封装 - M135 316-01
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Tray
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free