2N6084和MS1406

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6084 MS1406 MRF317

描述 射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, PLASTIC, M135, 4Pin射频线NPN硅功率晶体管100W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 - 4 4

封装 - M135 316-01

安装方式 - - Chassis

频率 - 175 MHz -

耗散功率 - 30 W 270 W

增益 - 8.2 dB 10 dB

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 30000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @5A, 5V

额定功率(Max) - - 100 W

高度 - 19.05 mm -

封装 - M135 316-01

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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