DDTB123EC-7-F和DTB123EK

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDTB123EC-7-F DTB123EK DTB123EKT146

描述 Trans Digital BJT PNP 50V 500mA Automotive 3Pin SOT-23 T/RDTB123EK 带阻尼PNP三极管 -50V -500mA/0.5A 0.2W/200mW SOT-23/SC-59/SMT3 标记F12 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路PNP 晶体管,ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SMT SOT-23-3

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -500 mA

额定功率 - - 0.2 W

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 0.2 W - 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V -50V 50 V

集电极最大允许电流 500mA -0.5A 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 39 @50mA, 5V - 39 @50mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

直流电流增益(hFE) - - 39

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

增益带宽 200 MHz - 200 MHz

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

长度 3.05 mm - 2.9 mm

宽度 1.4 mm - 1.6 mm

高度 1 mm - 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SMT SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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