1N758D和JANTX1N758D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N758D JANTX1N758D-1 1N758D-1

描述 DO-35 10V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 400 mW -

稳压值 10 V 10 V -

正向电压 - 1.1 V -

测试电流 - 20 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

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