1N6161A和JAN1N6161A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6161A JAN1N6161A 1.5KE62CARL

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSTVS DIODE 53VWM 111VC DO201

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 C Case G DO-201

钳位电压 85.3 V 85.3 V -

最大反向电压(Vrrm) 47.1V - -

测试电流 20 mA 20 mA -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 58.9 V 58.9 V 58.9 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -

电路数 - 1 -

击穿电压 - 58.9 V -

额定电压(DC) - - 62.0 V

额定功率 - - 1.50 kW

击穿电压 - - 62.0 V

封装 C Case G DO-201

长度 - - 9.50 mm

直径 - - 5.30 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag Bag Tape

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台