对比图
型号 IXFN25N90 IXFN39N90 IXFN26N90
描述 SOT-227B N-CH 900V 25AN沟道 900V 39AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Chassis Screw
引脚数 - - 3
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - - 900 V
额定电流 - - 26.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 300 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 600 W 694W (Tc) 600 W
阈值电压 - - 5 V
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 25A 39A 26.0 A
上升时间 - - 35 ns
隔离电压 - - 2.50 kV
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 600 W - 600 W
下降时间 - - 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 694W (Tc) 600W (Tc)
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
重量 - - 44.0 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15