对比图
型号 BD239C BUV22G
描述 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 30 W, 2 A, 15 hFEON SEMICONDUCTOR BUV22G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 250 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 8 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 2
封装 TO-220-3 TO-204-2
频率 - 8 MHz
针脚数 3 2
极性 - NPN
耗散功率 30 W 250 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 250 V
最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 20 @10A, 4V
额定功率(Max) 30 W 250 W
直流电流增益(hFE) 15 8
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 30000 mW 250000 mW
额定电压(DC) - 250 V
额定电流 - 40.0 A
集电极最大允许电流 - 40A
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
封装 TO-220-3 TO-204-2
材质 Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bag Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - -
ECCN代码 - EAR99