对比图
型号 BSO301SPH IRF7101TRPBF NTMD4N03R2G
描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 沟道 20 V 2 W 15 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 DSO SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 4.00 A
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.1 Ω 0.048 Ω
极性 - Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2 W 2 W
阈值电压 - 3 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) - 20 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 3.5A 4.00 A, 4.00 mA
上升时间 - 10 ns 14 ns
输入电容(Ciss) - 320pF @15V(Vds) 400pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W 2 W
下降时间 - 30 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 2 W 2 W
额定功率 - 2 W -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.65 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 DSO SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99