对比图
型号 PUMB9 PUMB9,115
描述 PNP / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 10千瓦， R2 = 47千瓦 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = 47 kW2个PNP-预偏置 100mA 50V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TSSOP TSSOP-6
引脚数 - 6
极性 PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA -
耗散功率 - 0.3 W
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @5mA, 5V
额定功率(Max) - 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
封装 TSSOP TSSOP-6
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99