2N3506A和JAN2N3506

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3506A JAN2N3506 JANTX2N3506

描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTrans Npn 40V 3A To-39TO-39 NPN 40V 3A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39-3

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

极性 - - NPN

耗散功率 - - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - - 3A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 200

额定功率(Max) - 1 W 1 W

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - - EAR99

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