对比图
型号 FQB9N50CTM STB11NK50ZT4 STB9NK50ZT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STB11NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STB9NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 9.00 A 10.0 A 7.20 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.65 Ω 0.48 Ω 0.72 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 125 W 110 W
阈值电压 2 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 4.50 A 7.20 A
上升时间 65 ns 18 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1390pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 125 W 110 W
下降时间 64 ns 15 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc)
通道数 1 - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 9.65 mm - 9.35 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -