BC639-16和BC639,116

对比图

型号 BC639-16 BC639,116 BC489G

描述 NPN型中功率晶体管 NPN medium power transistorsSPT NPN 80V 1A大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are Pb−Free Devices

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92 TO-226-3 TO-92-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 1.00 A - 500 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V 60 @100mA, 2V

额定功率(Max) - 830 mW 625 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 830 mW 625 mW

耗散功率 - 830 mW -

增益频宽积 - 180 MHz -

封装 TO-92 TO-226-3 TO-92-3

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 4.2 mm -

高度 - 5.2 mm -

产品生命周期 End of Life Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99