IS42S32800D-6BL和IS42S32800J-6BL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800D-6BL IS42S32800J-6BL

描述 Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 BGA-90

供电电流 180 mA 190 mA

位数 32 32

存取时间 6 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 6.5ns, 5.4ns 6 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

宽度 8 mm -

高度 0.8 mm -

封装 BGA-90 BGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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