MT49H16M18BM-33和MT49H16M18FM-25

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT49H16M18BM-33 MT49H16M18FM-25 MT49H16M18FM-33

描述 DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144Pin UBGA TrayDRAM Chip RLDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144Pin UBGA TrayDRAM Chip RLDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144Pin UBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-144 BGA BGA

引脚数 144 - -

额定电压(DC) 1.80 V 1.80 V 1.80 V

工作电压 - 1.80 V 1.80 V

位数 18 - -

工作温度(Max) 95 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - -

封装 BGA-144 BGA BGA

工作温度 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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