JAN1N6153US和JANTXV1N6153US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6153US JANTXV1N6153US JANTX1N6153US

描述 G-MELF 22.8V 1500WTvs Diode 22.8vwm 43.68vc CpkgDiode TVS Single Bi-Dir 22.8V 1.5kW 2Pin G-MELF

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 SQ-MELF SQ-MELF G-MELF

引脚数 - - 2

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 27.08 V 27.08 V -

最大反向电压(Vrrm) 22.8V - -

钳位电压 - - 41.6 V

测试电流 - - 40 mA

击穿电压 - - 27 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 175℃

封装 SQ-MELF SQ-MELF G-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Bag

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台