CY7C1360B-166BZC和IDT71V67603S166BQG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1360B-166BZC IDT71V67603S166BQG

描述 9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线式SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM256K X 36 , 512K X 18 3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,突发计数器流水线输出,单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA TBGA

封装 TBGA TBGA

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - 3A991

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