对比图
型号 IRFZ44VZSPBF STB60NF06LT4 IRFZ44VZS
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VD2PAK N-CH 60V 57A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 92 W - -
漏源极电阻 0.012 Ω 0.016 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 92 W 110 W 92W (Tc)
阈值电压 4 V 1 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 57A 60.0 A 57A
上升时间 62 ns 220 ns -
输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
下降时间 38 ns 30 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 92W (Tc) 110W (Tc) 92W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 60.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源击穿电压 - 60 V -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
额定功率(Max) - 110 W -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 9.65 mm 9.35 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -