对比图
型号 CY7C1243KV18-400BZC CY7C1263KV18-400BZI CY7C1263KV18-400BZC
描述 36兆位QDR® II SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 LBGA-165 FBGA-165 LBGA-165
时钟频率 - 400 MHz -
位数 - 18 -
存取时间 0.45 ns 0.45 ns -
存取时间(Max) - 0.45 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - 1.9 V -
电源电压(Min) - 1.7 V -
封装 LBGA-165 FBGA-165 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -