IDT70T651S10BFGI和IDT70V7519S133BFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70T651S10BFGI IDT70V7519S133BFI IDT70T3519S133BFI

描述 IC SRAM 9Mbit 10NS 208FBGAHIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 2.5V一百二十八分之二百五十六/ 64K ×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

ECCN代码 3A991 3A991 3A991

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

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