6100-B和IDT71256L100DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6100-B IDT71256L100DB TC55257BPL-10L

描述 Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 100ns 28Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) Integrated Device Technology (艾迪悌) Toshiba (东芝)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

引脚数 - - 28

封装 DIP DIP DIP

长度 - - 37 mm

宽度 - - 15.24 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - 3A001 -

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