IPA60R280C6和SPA15N60C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA60R280C6 SPA15N60C3 SIHF15N60E-E3

描述 MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  SPA15N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VMOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.23 Ω

耗散功率 32 W 34 W 180 W

阈值电压 3 V 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

上升时间 11 ns 5 ns 51 nS

输入电容(Ciss) 950pF @100V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 1350pF @100V(Vds)

下降时间 12 ns 5 ns 33 nS

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 32W (Tc) 34 W 34W (Tc)

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 15.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel -

输入电容 - 1.66 nF -

栅电荷 - 63.0 nC -

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 13.8A 15.0 A -

额定功率(Max) 32 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.65 mm 10.65 mm -

宽度 4.9 mm 4.85 mm -

高度 16.15 mm 9.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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