SST26VF064BAT-104I/SO和SST26VF064B-104I/SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SST26VF064BAT-104I/SO SST26VF064B-104I/SO SST26VF064BT-104I/SO

描述 IC FLASH 64Mbit 104MHz 16SOICSST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC,具有六线、4 位输入/输出接口,允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能,带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能,用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术,这些设备可提供卓越的擦除时间,与其他闪存备选设备相比,非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成,全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出,带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA(104 MHz 时典型),待机 15 μA(典型) 快速擦除时间 - 扇区/块擦除:18 ms(典型);芯片擦除 35 ms(典型) 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存,MicrochipFlash Serial 3V 64Mbit 64M x 1Bit 16Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 存储芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作电压 - 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - 20 mA -

针脚数 - 16 -

时钟频率 - 104 MHz -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 7.5 mm -

高度 - 2.05 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - 3A991.b.1.a -

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