对比图
描述 Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RQFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
上升时间 - 25 ns
输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V
额定电流 10.0 A 10.0 A
漏源极电阻 140 mΩ -
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5 W
漏源击穿电压 60.0 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.1 mm
高度 - 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 EAR99