对比图
型号 BSS84,215 BSS84LT1G BSS84-7-F
描述 NXP BSS84,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 6 ohm, -10 V, -2 VON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V三极管
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - -50.0 V -50.0 V
额定电流 - -130 mA -130 mA
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 6 Ω 10 Ω 10 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 250 mW 225 mW 300 mW
阈值电压 - 2 V 0.8 V
输入电容 - 36pF @5V 45.0 pF
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 - 50 V 50 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) -130 mA 130 mA 130 mA
输入电容(Ciss) 45pF @25V(Vds) 30pF @5V(Vds) 45pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 250 mW 225 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250 mW 225 mW 300 mW
额定功率 - 0.225 W -
无卤素状态 - Halogen Free -
上升时间 - 9.7 ns -
正向电压(Max) - 2.2 V -
下降时间 - 1.7 ns -
长度 3 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1 mm 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
军工级 - - Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99