IRF7470和TPCA8016-H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7470 TPCA8016-H IRF7470TRPBF

描述 SOIC N-CH 40V 10AMOS(场效应管)/TPCA8016-HINFINEON  IRF7470TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 40.0 V 60 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 25A 11.0 A

耗散功率(Max) - 45 W 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 11.0 A - 11.0 A

漏源极电阻 9.00 mΩ - 0.013 Ω

产品系列 IRF7470 - IRF7470

漏源击穿电压 40.0V (min) - -

上升时间 1.9 ns - 1.9 ns

下降时间 3.2 ns - 3.2 ns

额定功率 - - 2.5 W

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 2.5 W

阈值电压 - - 800 mV

输入电容(Ciss) - - 3430pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台