CY14B101Q1A-SXI和CY14B101Q2-LHXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B101Q1A-SXI CY14B101Q2-LHXIT CY14B101Q2A-SXI

描述 1兆位( 128千×8 )串行( SPI )的nvSRAM数据保存:20年,在85 ℃下 1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C1兆位( 128K ×8 )串行SPI的nvSRAM 1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAMCY14B101Q 系列 3 V 1 Mb (128 K × 8) 自动存储 nvSRAM - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 WDFN-8 SOIC-8

工作电压 3 V - 3 V

供电电流 3 mA - 3 mA

时钟频率 - - 40 MHz

存取时间(Max) 9 ns 9 ns 9 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1 W - 1 W

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

耗散功率 1 W - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 SOIC-8 WDFN-8 SOIC-8

高度 1.48 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 3A991.b.2.a

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