HUF75545P3和PSMN050-80PS,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HUF75545P3 PSMN050-80PS,127 IRFB4710

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75545P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 VNXP Si N沟道 MOSFET PSMN050-80PS,127, 22 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管N沟道MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 10 mΩ - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 270 W 56 W 200 W

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V -

漏源击穿电压 80.0 V - 100V (min)

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A - 75.0 A

上升时间 125 ns - 130 ns

输入电容(Ciss) 3750pF @25V(Vds) 633pF @12V(Vds) -

额定功率(Max) 270 W 56 W -

下降时间 90 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 270W (Tc) 56W (Tc) -

产品系列 - - IRFB4710

长度 10.67 mm 10.3 mm -

宽度 4.7 mm 4.7 mm -

高度 16.3 mm 16 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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