对比图
型号 SI5853DDC-T1-E3 TPCF8B01(TE85L,F,M SI5853CDC-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8VS P-CH 20V 2.7AMOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Toshiba (东芝) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SMD-8 SMD-8 1206
极性 - P-CH P-Channel
耗散功率 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) 330mW (Ta) 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) - 2.7A -4.00 A
输入电容(Ciss) 320pF @10V(Vds) 470pF @10V(Vds) 350pF @10V(Vds)
耗散功率(Max) 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) 330mW (Ta) 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
封装 SMD-8 SMD-8 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free