BST60和BST62,115

对比图

型号 BST60 BST62,115 NTE2429

描述 NXP### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsNexperia BST62,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3引脚 SOT-89封装SOT-89 PNP 1A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 1.3 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 2000 @500mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.3 W -

直流电流增益(hFE) - 2000 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) 1.3 W 1300 mW -

极性 PNP - PNP

集电极最大允许电流 1A - 1A

长度 4.6 mm 4.6 mm -

宽度 2.6 mm 2.6 mm -

高度 1.6 mm 1.6 mm -

封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - - 85412100959