FQU10N20和FQU10N20CTU

对比图

型号 FQU10N20 FQU10N20CTU IRFU230A

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3Pin(3+Tab) IPAK Tube先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - -

封装 IPAK TO-251-3 -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 7.6A - -

耗散功率 - 50 W -

上升时间 - 92 ns -

输入电容(Ciss) - 510pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 50 W -

下降时间 - 72 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 50000 mW -

封装 IPAK TO-251-3 -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - -

含铅标准 - Lead Free -