70V657S12BCI和IDT70V657S12BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S12BCI IDT70V657S12BCI 70V657S12BFGI

描述 Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256高速3.3V 64分之128 / 32K ×36异步双端口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAMDual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 CABGA-256 LBGA CABGA-208

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 256 - 208

封装 CABGA-256 LBGA CABGA-208

长度 17 mm - 15 mm

宽度 17 mm - 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

存取时间 12 ns - 12 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - 40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) 3.45 V - 3.45 V

电源电压(Min) 3.15 V - 3.15 V

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台