对比图
型号 IXFN200N07 STE180N05 IXFN340N06
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N07 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 VN - 沟道增强型功率MOS晶体管ISOTOP包装 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGESOT-227B N-CH 60V 340A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
封装 SOT-227-4 ISOTOP SOT-227-4
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 4
封装 SOT-227-4 ISOTOP SOT-227-4
长度 38.23 mm - -
宽度 25.42 mm - -
高度 9.6 mm - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 520 W - 700 W
漏源极电压(Vds) 70 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 200 A - 340A
上升时间 60 ns - 95 ns
输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) - 16800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W - 700 W
下降时间 60 ns - 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) - 700W (Tc)
额定电压(DC) 70.0 V - -
额定电流 200 A - -
额定功率 520 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.006 Ω - -
阈值电压 4 V - -
漏源击穿电压 70 V - -
隔离电压 2.50 kV - -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 44.0 g - -