PDTC124TM和PDTC124TM,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTC124TM PDTC124TM,315 934057176315

描述 NPN电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的, R2 =开放 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = openDFN NPN 50V 100mASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DFN SOT-883 -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

耗散功率 - 250 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

封装 DFN SOT-883 -

高度 - 0.47 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

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