对比图
型号 BUK7109-75AIE BUK7109-75AIE,118
描述 N沟道TrenchPLUS标准水平FET N-channel TrenchPLUS standard level FETD2PAK N-CH 75V 120A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
封装 TO-263 TO-263-5
极性 - N-CH
耗散功率 - 272 W
漏源极电压(Vds) - 75 V
连续漏极电流(Ids) - 120A
上升时间 - 108 ns
输入电容(Ciss) - 4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 272 W
下降时间 - 100 ns
耗散功率(Max) - 272W (Tc)
封装 TO-263 TO-263-5
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free