对比图
型号 IRFP4227PBF IRFP4668PBF STW30NF20
描述 INFINEON IRFP4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 25 mohm, 10 V, 5 VINFINEON IRFP4668PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 VN沟道200V - 0.065ヘ - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 330 W 520 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.025 Ω 0.008 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 330 W 520 W 125 W
阈值电压 5 V 5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 65A 130A 15.0 A
上升时间 20 ns 105 ns 15.7 ns
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 10720pF @50V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 520 W 125 W
下降时间 31 ns 74 ns 8.8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330W (Tc) 520W (Tc) 125W (Tc)
漏源击穿电压 - - 200 V
输入电容 - 10720 pF -
长度 15.87 mm 15.87 mm -
宽度 5.31 mm 5.31 mm -
高度 20.7 mm 20.7 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17