对比图
型号 BCR162E6327HTSA1 DTA143EKAT146 MUN2132T1
描述 Infineon BCR162E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装PNP 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.MUN2132T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 27 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6J 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA
额定功率 - 0.2 W -
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
耗散功率 0.2 W 0.2 W 230 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 20 @5mA, 5V 30 @10mA, 5V 15 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 30 15
额定功率(Max) 200 mW 200 mW 230 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
增益带宽 200 MHz 250 MHz -
耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 338 mW
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.6 mm 1.5 mm
高度 0.9 mm 1.1 mm 1.09 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -