对比图
型号 NST3906F3T5G PN2484 MMBT3906LT3G
描述 ON SEMICONDUCTOR NST3906F3T5G Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -40 V, 250 MHz, 290 mW, -200 mA, 30 hFE 新NPN通用放大器 NPN General Purpose AmplifierNPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 SOT-1123-3 TO-92-3 SOT-23-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 60.0 V -40.0 V
额定电流 - 10.0 mA -200 mA
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 60 V 40 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10µA, 5V 100 @10mA, 1V
额定功率(Max) 290 mW 625 mW 225 mW
频率 250 MHz - 250 MHz
针脚数 3 - 3
极性 PNP - PNP
耗散功率 290 mW - 225 mW
集电极最大允许电流 0.2A - 0.2A
直流电流增益(hFE) 30 - 100
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 347 mW - 225 mW
最大电流放大倍数(hFE) 60 @0.1mA, 1V - -
封装 SOT-1123-3 TO-92-3 SOT-23-3
长度 0.6 mm - 3.04 mm
宽度 0.8 mm - 1.4 mm
高度 0.37 mm - 1.01 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
最小包装 8000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99